• MOCVD在线监测系统系列产品用于实时监测工艺过程中晶圆的温度，反射率和翘曲度，并提供可靠的温度信号用于控温，适用于各种转速的MOCVD机台。包括温度反射率翘曲度在线监测（viperRTC）、表面温度测量（viper405）、温度校准单元（Calibration Unit）、温场扫描系统（Scanpyro）等产品。

    • MOCVD 在线监测系统系列产品

      MOCVD在线监测系统系列产品用于实时监测工艺过程中晶圆的温度，反射率和翘曲度，并提供可靠的温度信号用于控温，适用于各种转速的MOCVD机台。包括温度反射率翘曲度在线监测（viperRTC）、表面温度测量（viper405）、温度校准单元（Calibration Unit）、温场扫描系统（Scanpyro）等产品

      넶1237 ¥ 0.00

    • 近紫外测温系统viper405

      405nm近紫外测温系统，用于MOCVD工艺薄膜表面温度的测量

      넶427 ¥ 0.00

    • MOCVD在线扫描系统 Scanpyro-RT

      Scanpyro-RT MOCVD在线扫描系统，用于具有狭缝型观察窗的MOCVD设备，实现对整个盘面的温度和反射率扫描，获得实时的，整个温度场的数据。

      넶490 ¥ 0.00

    • MOCVD在线监测系统 viperRTC–LSS

      viperRTC–LSS (Low Speed Single point curvature) MOCVD在线监测系统，用于慢转速，多片行星式MOCVD设备，实现对工艺反射率（R），温度（T）和翘曲度（C）的实时监测。测温信号，可用于闭环温度控制。


      넶547 ¥ 0.00

    • 高精度温度校准单元 Cal-2

       Cal-2 可以用于MOCVD设备不开腔温度校准。

      넶329 ¥ 0.00

  • 晶圆形貌检测、晶圆衬底缺陷检测、PSS检测设备、GaN及GaAs外延片缺陷检测设备，芯片外观缺陷检测等AOI设备，是国内LED生产企业光学测量和检测方面的主流设备；代表型号：SPI300，E300，F300-PSS，F300-EPI-GN，F300-EPI-GA，F400系列COW/COT/COTD。

    • SPI300 晶圆形貌测量与分选设备

      SPI300 晶圆形貌测量设备是一款专门测量晶圆THICKNESS、TTV、BOW、WARP和LTV等外参数并且进行分选的设备。

      넶1938 ¥ 0.00

    • F300-DPW

       本设备主要用于蓝宝石，GaN，GaAs， SiC， 钽酸锂等平片的缺陷检测，可以检测并区分颗粒（particle）、刮伤（scratch）、小坑（pit）、凸起（bump）和脏污等缺陷，可以根据客户需求提供各种规格，最小检测尺寸可以到0.3μm； 具有高产能可以实现全检测。


      넶429 ¥ 0.00

    • COW/COT AOI芯片缺陷检测设备

      COW/COT AOI用于GaN, GaAs, InP chip等芯片外观检测。支持4"、6"、8"、12"晶圆或者COT样品检测。常规检测：电极异常、外延层脱落、切割道异常、发光区异常、残金、双晶、外延异常，最小检测缺陷尺寸达到0.5μm。支持用户定义或协商定制缺陷类别。

      넶1522 ¥ 0.00

    • F300-EPI GaAs

      GaAs外延片AOI设备采用了自研光学镜头，并且集成了自动聚焦功能，可以对翘曲的外延片直接扫描清晰成像；集成了多种光学检测系统可以对掉点、水点等微观及暗线、红斑、翘脚等多种宏观缺陷进行检测与识别。


      넶332 ¥ 0.00

    • F300-EPI GaN

      GaN外延片AOI设备采用了自研光学镜头，并且集成了自动聚焦功能，可以对翘曲的外延片直接扫描清晰成像，具有检出率高、误检率低的特点，使用20X点测功能可以采集到更高解析度的缺陷图像（0.1-02μm）；荧光激发AOI检测可以检测长晶层的发光缺陷。

      넶381 ¥ 0.00

  • 主要有二代半导体GaAs、InP衬底及外延检测设备，三代半导体GaN、SiC衬底及外延检测设备，LT&LN检测设备，玻璃光片，图形片检测设备。具有业界认可的自研光学系统，对标国际知名企业，性能上得到行业认可；代表型号：E200，E300，E500，E1000，E3200，E3500。

    • E3500 SiC 缺陷检测设备

      E3500是针对SiC材料的缺陷检测设备，可以检测SiC衬底、同质外延等的表面和荧光缺陷。可以检测并区分三角、carrot、downfall、micropipe、SF、BPD等缺陷。支持4"、6"、8"晶圆检测，具有高产能、高检测精度的优点。

      넶4544 ¥ 0.00

    • E1000 化合物半导体缺陷检测设备

      Eagle1000 化合物半导体缺陷检测设备可以检测蓝宝石，砷化镓，钽酸锂，石英玻璃，磷化銦等衬底及外延片。可以检测并区分颗粒（particle）、凹坑（pit）、凸起（bump）、划伤（scratch）、污点（stain）、裂纹（crack）等缺陷，最小可检测缺陷81nm；支持4"、6"、8"晶圆检测，具有高产能、检测准确和检出率高的优点。


      넶1942 ¥ 0.00

    • E3200 GaN缺陷检测设备

      E3200是针对GaN 功率器件和HB GaN LED应用，可以检测GaN衬底及PSS基GaN、Si基GaN 和SiC基GaN 等外延片的表面和荧光缺陷，最小检测颗粒81nm。可以检测并区分颗粒（particle）、凹坑（pit）、凸起（bump）、划伤（scratch）、污点（stain）、裂纹（crack）、PL 黑点、PL scratch、PL crystal 缺陷等表面及荧光缺陷。支持4"、6"、8"晶圆检测，具有高产能、检测准确和检出率高的优点。


      넶1640 ¥ 0.00

  • 主要集中在无图形衬底缺陷检测、芯片检测、CIS芯片和有图形片检测领域；代表型号：F550，F2000，H1000，H2000，OV1000等。

    • H2000 集成电路图形晶圆前道缺陷

      图形化晶圆缺陷检测设备具有明场、暗场、AI、结合空间滤波技术，能够检测图形化和非图形化的Si/GaN/SiC晶圆上的颗粒、划痕、坑洼和凸起等缺陷。该工具的主要应用是用于检测HVM IC Fab中各种前端工艺节点，以提高芯片生产的良率。

      넶2480 ¥ 0.00

    • F2000 集成电路前道晶圆缺陷检测设备

      晶圆缺陷检测设备具有明场DIC、暗场和先进的AI技术。F2000可检测裸片和外延片表面的颗粒和划痕等缺陷。其性能与KLA SP1相当。该工具应用于HVM晶圆制造和IC Fab中各种前端工艺节点的检测，以提高芯片生产的良率。

      넶2481 ¥ 0.00