• MOCVD在线监测系统系列产品用于实时监测工艺过程中晶圆的温度,反射率和翘曲度,并提供可靠的温度信号用于控温,适用于各种转速的MOCVD机台。包括温度反射率翘曲度在线监测(viperRTC)、表面温度测量(viper405)、温度校准单元(Calibration Unit)、温场扫描系统(Scanpyro)等产品。

    • MOCVD 在线监测系统系列产品

      MOCVD在线监测系统系列产品用于实时监测工艺过程中晶圆的温度,反射率和翘曲度,并提供可靠的温度信号用于控温,适用于各种转速的MOCVD机台。包括温度反射率翘曲度在线监测(viperRTC)、表面温度测量(viper405)、温度校准单元(Calibration Unit)、温场扫描系统(Scanpyro)等产品

      1699 ¥ 0.00
    • 近紫外测温系统viper405

      405nm近紫外测温系统,用于MOCVD工艺薄膜表面温度的测量

      542 ¥ 0.00
    • MOCVD在线扫描系统 Scanpyro-RT

      Scanpyro-RT MOCVD在线扫描系统,用于具有狭缝型观察窗的MOCVD设备,实现对整个盘面的温度和反射率扫描,获得实时的,整个温度场的数据。

      641 ¥ 0.00
    • MOCVD在线监测系统 viperRTC–LSS

      viperRTC–LSS (Low Speed Single point curvature) MOCVD在线监测系统,用于慢转速,多片行星式MOCVD设备,实现对工艺反射率(R),温度(T)和翘曲度(C)的实时监测。测温信号,可用于闭环温度控制。


      745 ¥ 0.00
    • 高精度温度校准单元 Cal-2

       Cal-2 可以用于MOCVD设备不开腔温度校准。

      408 ¥ 0.00
  • 晶圆形貌检测、晶圆衬底缺陷检测、PSS检测设备、GaN及GaAs外延片缺陷检测设备,芯片外观缺陷检测等AOI设备,是国内LED生产企业光学测量和检测方面的主流设备;代表型号:SPI300,E300,F300-PSS,F300-EPI-GN,F300-EPI-GA,F400系列COW/COT/COTD。

    • SPI300 晶圆形貌测量与分选设备

      SPI300 晶圆形貌测量设备是一款专门测量晶圆THICKNESS、TTV、BOW、WARP和LTV等外参数并且进行分选的设备。

      2671 ¥ 0.00
    • F300-DPW

       本设备主要用于蓝宝石,GaN,GaAs, SiC, 钽酸锂等平片的缺陷检测,可以检测并区分颗粒(particle)、刮伤(scratch)、小坑(pit)、凸起(bump)和脏污等缺陷,可以根据客户需求提供各种规格,最小检测尺寸可以到0.3μm; 具有高产能可以实现全检测。


      566 ¥ 0.00
    • COW/COT AOI芯片缺陷检测设备

      COW/COT AOI用于GaN, GaAs, InP chip等芯片外观检测。支持4"、6"、8"、12"晶圆或者COT样品检测。常规检测:电极异常、外延层脱落、切割道异常、发光区异常、残金、双晶、外延异常,最小检测缺陷尺寸达到0.5μm。支持用户定义或协商定制缺陷类别。

      2089 ¥ 0.00
    • F300-EPI GaAs

      GaAs外延片AOI设备采用了自研光学镜头,并且集成了自动聚焦功能,可以对翘曲的外延片直接扫描清晰成像;集成了多种光学检测系统可以对掉点、水点等微观及暗线、红斑、翘脚等多种宏观缺陷进行检测与识别。


      426 ¥ 0.00
    • F300-EPI GaN

      GaN外延片AOI设备采用了自研光学镜头,并且集成了自动聚焦功能,可以对翘曲的外延片直接扫描清晰成像,具有检出率高、误检率低的特点,使用20X点测功能可以采集到更高解析度的缺陷图像(0.1-02μm);荧光激发AOI检测可以检测长晶层的发光缺陷。

      531 ¥ 0.00
  • 主要有二代半导体GaAs、InP衬底及外延检测设备,三代半导体GaN、SiC衬底及外延检测设备,LT&LN检测设备,玻璃光片,图形片检测设备。具有业界认可的自研光学系统,对标国际知名企业,性能上得到行业认可;代表型号:E200,E300,E500,E1000,E3200,E3500。

    • E3500 SiC 缺陷检测设备

      E3500是针对SiC材料的缺陷检测设备,可以检测SiC衬底、同质外延等的表面和荧光缺陷。可以检测并区分三角、carrot、downfall、micropipe、SF、BPD等缺陷。支持4"、6"、8"晶圆检测,具有高产能、高检测精度的优点。

      6092 ¥ 0.00
    • E1000 化合物半导体缺陷检测设备

      Eagle1000 化合物半导体缺陷检测设备可以检测蓝宝石,砷化镓,钽酸锂,石英玻璃,磷化銦等衬底及外延片。可以检测并区分颗粒(particle)、凹坑(pit)、凸起(bump)、划伤(scratch)、污点(stain)、裂纹(crack)等缺陷,最小可检测缺陷81nm;支持4"、6"、8"晶圆检测,具有高产能、检测准确和检出率高的优点。


      2608 ¥ 0.00
    • E3200 GaN缺陷检测设备

      E3200是针对GaN 功率器件和HB GaN LED应用,可以检测GaN衬底及PSS基GaN、Si基GaN 和SiC基GaN 等外延片的表面和荧光缺陷,最小检测颗粒81nm。可以检测并区分颗粒(particle)、凹坑(pit)、凸起(bump)、划伤(scratch)、污点(stain)、裂纹(crack)、PL 黑点、PL scratch、PL crystal 缺陷等表面及荧光缺陷。支持4"、6"、8"晶圆检测,具有高产能、检测准确和检出率高的优点。


      2228 ¥ 0.00
  • 主要集中在无图形衬底缺陷检测、芯片检测、CIS芯片和有图形片检测领域;代表型号:F550,F2000,H1000,H2000,OV1000等。

    • H2000 集成电路图形晶圆前道缺陷

      图形化晶圆缺陷检测设备具有明场、暗场、AI、结合空间滤波技术,能够检测图形化和非图形化的Si/GaN/SiC晶圆上的颗粒、划痕、坑洼和凸起等缺陷。该工具的主要应用是用于检测HVM IC Fab中各种前端工艺节点,以提高芯片生产的良率。

      621 ¥ 0.00
    • F2000 集成电路前道晶圆缺陷检测设备

      晶圆缺陷检测设备具有明场DIC、暗场和先进的AI技术。F2000可检测裸片和外延片表面的颗粒和划痕等缺陷。其性能与KLA SP1相当。该工具应用于HVM晶圆制造和IC Fab中各种前端工艺节点的检测,以提高芯片生产的良率。

      3245 ¥ 0.00