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H2000
H2000
化合物半导体图形晶圆缺陷检测系统
H2000,用于化合物有图形工艺的晶圆缺陷检测,设备集成了线扫和面阵扫描双重光学系统,并且配置了激光暗场检测图形的光学滤波技术,可以对工艺过程的各种缺陷进行检测和分类,最小检测精度100nm(暗场滤波后)
线扫 + 面扫双模式
图形区域最小检测精度 100nm
覆盖工艺过程全类型缺陷,助力化合物有图形晶圆的工艺优化